Desta forma, a nova série abre novas oportunidades de crescimento e posiciona-se como a escolha ideal para aplicações de arranque rápido em áreas como a segurança, a indústria e a IoT.
A memória flash NAND QSPI de alta velocidade da série GD5F1GM9 é fabricada utilizando um processo de 24 nm. A série suporta tensões de funcionamento de 3 V e 1,8 V e oferece diversos modos de leitura de alta velocidade: Leitura Contínua, Leitura em Cache e Carregamento Automático da Próxima Página. Os modos recentemente adicionados de Leitura Contínua e Carregamento Automático da Página Seguinte proporcionam aos utilizadores uma maior versatilidade para um acesso rápido a código e dados. Além disso, um novo sistema de computação paralela está incorporado no seu projeto ECC (Código de Correção de Erros), substituindo o método serial tradicional e reduzindo significativamente o tempo de processamento do ECC integrado.
Em termos de desempenho, a versão de 3 V da série atinge velocidades até 83 MB/s no modo de Leitura Contínua com uma frequência máxima de 166 MHz, enquanto a versão de 1,8 V atinge 66 MB/s a 133 MHz. Estes números, que são até três vezes mais rápidos do que os produtos convencionais NAND SPI que operam à mesma frequência, permitem um melhor acesso aos dados, um tempo de arranque do sistema reduzido e um menor consumo global de energia.
A existência de blocos defeituosos de fábrica é um problema inerente à tecnologia NAND Flash. Para contornar isto, a série GD5F1GM9 incorpora a Gestão de Blocos Defeituosos (BBM). Esta funcionalidade garante que toda a matriz de memória pode ser acedida com um único comando, uma vez que o BBM mapeia dinamicamente os endereços dos blocos defeituosos para os blocos válidos, ignorando automaticamente aqueles que apresentam falhas. Os primeiros 256 blocos da série GD5F1GM9 têm uma garantia de funcionamento completo desde a primeira utilização. Embora possam existir blocos defeituosos de fábrica, e possam surgir novos blocos defeituosos durante a utilização, a função BBM cria ligações entre endereços lógicos e físicos, permitindo a redistribuição e a substituição de blocos problemáticos. O dispositivo suporta até 20 ligações de pesquisa na tabela BBM.
A série GD5F1GM9 oferece uma capacidade de 1 Gb, com duas opções de funcionamento a 3 V e 1,8 V. Está disponível em vários formatos de encapsulamento, incluindo WSON8 de 8 × 6 mm, WSON8 de 6 × 5 mm e BGA24 com uma matriz de esferas de 5 × 5.
