Os díodos limitadores de corrente SMD CL15M45/CL20M/CL40M45 oferecem um funcionamento em paralelo para uma maior capacidade de corrente (IP), proporcionando uma solução durável e de alto desempenho para aplicações como drivers LED de baixa potência e carregadores de bateria. Com dissipação de potência de 1 W, tensão inversa de 0,5 V e temperatura de junção de funcionamento de -50 °C a +150 °C, estes díodos limitadores de corrente oferecem um desempenho de nível comercial num encapsulamento SMB.
Os FET MMBT7002K com modo de enriquecimento de canal oferecem um desempenho excecional para aplicações de processamento de sinal, de nível lógico e de acionamento. Estes FET proporcionam tempos de comutação rápidos com um gate protegido contra ESD e uma gama de temperatura de junção de funcionamento de -55 a +150 °C. Os FET MMBT7002K apresentam uma dissipação de potência de 350 mW, uma tensão gate-source de 20 V e uma tensão drain-source de 60 V. Os díodos de sinal pequeno BAV99x da Diotec Semiconductor oferecem elevadas velocidades de comutação com baixa capacitância de junção e baixa corrente de fuga.
Os díodos BAV99x são fabricados com materiais de encapsulamento listados pela norma UL 94V-0, e os dispositivos com o sufixo -AQ no número do produto obtiveram a qualificação AEC-Q101. Estes díodos suportam uma vasta gama de aplicações, incluindo processamento de sinal, retificação e comutação de alta velocidade. Os retificadores de recuperação ultrarrápida EGL1x apresentam uma impressionante gama de tensão inversa (VR) de 50 a 400 V e uma tensão inversa repetitiva de pico (VRRM) de 50 a 400 V. Estes díodos de alto desempenho oferecem uma elevada dissipação de potência e permitem uma retificação de alta frequência.
