Fundada em 1994, a GTAT possui expertise em crescimento de cristais, incluindo SiC. O SiC é um material fundamental para semicondutores de próxima geração, proporcionando vantagens técnicas em dispositivos de comutação de potência em SiC e melhorando significativamente a eficiência de sistemas em veículos elétricos (VEs), carregamento de VEs e infraestruturas de energia.