Os dispositivos de potência de SiC estão a ser cada vez mais adotados nos carregadores de bordo de veículos e nos conversores CC/CC. Estes dispositivos oferecem diversas vantagens em comparação com os dispositivos de potência baseados em silício, como os IGBTs. Um benefício fundamental é a redução significativa das perdas durante a comutação e a condução, para além da capacidade de operar a temperaturas mais elevadas.
Desde 2017, a ROHM e a LEADRIVE têm colaborado e realizado intercâmbios técnicos detalhados sobre aplicações automóveis utilizando dispositivos de potência de SiC. A criação de um laboratório de investigação conjunto, focado em módulos de potência e inversores para veículos, utilizando MOSFETs de SiC em chip nu e drivers de gate isolados da ROHM, proporcionará a ambas as empresas a oportunidade de acelerar ainda mais o desenvolvimento de soluções energéticas inovadoras.
“A adoção de módulos de potência com chips de SiC integrados para veículos de novas energias tornar-se-á uma tendência da indústria nos próximos anos. A comercialização de dispositivos maduros equipados com SiC, reunindo recursos de todo o mundo e conduzindo I&D, dá-nos uma vantagem competitiva como fabricante de automóveis de topo”, disse o Dr. Jie Shen, Presidente e CEO da Leadrive Technology (Shanghai) Co., Ltd. “A ROHM tem sido um parceiro sólido desde a fundação da LEADRIVE. Este laboratório de investigação conjunto permitir-nos-á aprofundar a nossa colaboração”, continuou o Dr. Shen.
“Como pioneira e fornecedora líder de dispositivos de potência SiC, a ROHM tem um historial comprovado de fornecimento de soluções de energia de alta qualidade que combinam tecnologia de ponta com circuitos controladores integrados, e estamos empenhados em promover a utilização de SiC para aplicações xEV”, acrescenta o Dr. Kazuhide Ino, membro do Conselho de Administração, Diretor Corporativo, Diretor Científico e Diretor Sénior da Divisão de Dispositivos de Potência da ROHM Co., Ltd. “Compreender as necessidades dos clientes e as tendências de mercado é extremamente importante no desenvolvimento da tecnologia de dispositivos de potência SiC. O LEADRIVE desempenha um papel significativo na investigação aplicada de SiC como fabricante de módulos de potência e inversores para a indústria automóvel Através deste laboratório de investigação conjunto, podemos fortalecer a nossa parceria e contribuir para a inovação técnica de soluções de energia automóvel centradas em SiC”, conclui o Dr. Ino.
Terminologia em resumo:
IGBT (Transistor Bipolar de Porta Isolada)
Um transístor de potência que combina as características de comutação de alta velocidade de um MOSFET com a baixa perda de condução de um transístor bipolar.
Perdas de comutação e condução:
As perdas são inevitáveis em transístores como MOSFETs e IGBTs devido à sua estrutura singular. A perda de comutação ocorre quando o estado de condução do dispositivo é alterado (durante a operação de comutação). Esta perda de condução é gerada pela componente de resistência interna quando a corrente flui (estado LIGADO) através do dispositivo.
MOSFET (Metal-Óxido-Semicondutor Field Effect Transistor)
A estrutura mais utilizada em FETs. São frequentemente adotados como elementos de comutação.
