Especialmente nos veículos elétricos (VEs), o inversor, que desempenha um papel fundamental no sistema de propulsão, necessita de ser mais eficiente para aumentar a autonomia e reduzir o tamanho da bateria de bordo, elevando as expectativas para os dispositivos de potência de SiC.
Como o primeiro fornecedor mundial a iniciar a produção em massa de MOSFETs de SiC em 2010, a ROHM continua a desenvolver tecnologias de dispositivos de potência de SiC líderes de mercado. Isto inclui os mais recentes MOSFETs de SiC de 4ª geração da ROHM, que oferecem maior resistência a curto-circuitos, juntamente com a menor resistência em condução do setor, permitindo uma maior autonomia para veículos elétricos e reduzindo o consumo de energia em 6% em comparação com os IGBTs (com base em cálculos utilizando o teste de eficiência de combustível WLTC, como padrão internacional) quando instalados no inversor principal.
Ao mesmo tempo, a Hitachi Astemo, que há vários anos desenvolve tecnologias avançadas para motores e variadores de veículos, conta já com um historial considerável no crescente mercado de veículos elétricos. No entanto, esta é a primeira vez que são utilizados dispositivos de SiC no circuito principal do inversor para melhorar ainda mais o desempenho. O fornecimento de inversores para os fabricantes de automóveis está previsto começar em 2025, inicialmente no Japão e posteriormente em todo o mundo.
No futuro, como fornecedor líder de dispositivos de potência SiC, a ROHM continuará a reforçar a sua gama de produtos e a fornecer soluções de energia que contribuam para a inovação tecnológica nos veículos, combinando tecnologias de dispositivos periféricos, como circuitos de controlo integrados, concebidos para maximizar o desempenho.
