A Agência Internacional de Energia prevê que o consumo de energia dos centros de dados duplique até 2030[1], tornando as melhorias na eficiência energética uma necessidade crítica. O mercado de semicondutores de potência para centros de dados deverá crescer a uma taxa de crescimento anual composta (CAGR) de 11,0%, atingindo vendas globais de US$ 4,29 mil milhões até 2032[2], enquanto a ResearchandMarkets.com prevê que o mercado de inversores de tração para veículos elétricos (VE) irá crescer a uma CAGR de 16,1% e atingir vendas globais de US$ 67,6 mil milhões até 2034 [3].
Esta nova colaboração de longo prazo permitirá à NXP desenvolver soluções de sistema baseadas em GaN, aproveitando os produtos GaN avançados da CGD, o acesso antecipado aos desenvolvimentos GaN de próxima geração da CGD e a vasta experiência da equipa em processos e tecnologias GaN. Ao mesmo tempo, a CGD beneficiará do acesso ao amplo portefólio de processadores e produtos analógicos da NXP, da sua expertise em sistemas e do seu alcance comercial global, acelerando a penetração no mercado através de soluções otimizadas ao nível do sistema.
Fábio Necco | Diretor Geral, CGD
“Ao trabalharmos em estreita colaboração com a NXP, estamos a acelerar a transição para uma nova classe de eletrónica de potência baseada em GaN. Esta colaboração envolve o aproveitamento do desempenho do GaN para aumentar a eficiência, a densidade de potência e a fiabilidade em sistemas automóveis e de data centers do mundo real, onde o desempenho, o custo e a sustentabilidade têm agora de andar de mãos dadas.”
Chris Bretz | Vice-Presidente de Sistemas de Energia Avançados da NXP
: “A CGD combina a inovação avançada em GaN com soluções de energia práticas e escaláveis, oferecendo robustez, fiabilidade e desempenho superiores ao nível do sistema. Com um profundo conhecimento técnico e uma vasta experiência em dispositivos, a CGD é um parceiro ideal a longo prazo para a NXP acelerar a adoção de GaN de alta eficiência em mercados de elevado crescimento.”
Os semicondutores de GaN permitem a comutação a frequências mais elevadas e conseguem uma maior eficiência em comparação com as tecnologias concorrentes.
O rápido aumento da procura de energia nos data centers deve-se, em grande parte, à crescente utilização de IA. Um único rack poderia ter consumido apenas 40 kW em 2022, mas hoje pode consumir 200 kW ou mais, e espera-se que um único rack necessite de 1 MW ou mais até 2030. O aumento da densidade computacional e as modernas arquiteturas de energia impõem requisitos rigorosos de densidade de potência e a necessidade de fornecer elevadas relações de redução de tensão, mantendo a eficiência energética. O ICeGaN está numa posição única para satisfazer estes requisitos, uma vez que permite frequências de comutação mais elevadas, maior densidade de potência e oferece uma fiabilidade superior em comparação com as soluções discretas de GaN.
Nos inversores de tração automóveis, o GaN pode melhorar a eficiência a baixas cargas. A tecnologia ICeGaN da CGD é a única tecnologia de chip único baseada em GaN que funciona com um controlador padrão e permite a ligação em paralelo de múltiplos dispositivos para satisfazer os requisitos de corrente elevada dos inversores de tração.
A propriedade intelectual e as competências complementares de ambas as empresas permitir-lhes-ão oferecer soluções de nível de sistema com uma diferenciação única para os clientes que exploram as vantagens dos dispositivos GaN nestes dois importantes mercados.
[1] Agência Internacional de Energia (IEA) (2025), Energia e IA, IEA, Paris https://www.iea.org/reports/energy-and-ai, Licença: CC BY 4.0
[2] Tamanho, quota e crescimento do mercado de semicondutores de potência para data centers - Relatório 2032
[3] ResearchandMarkets.com (2025), Perspectivas do mercado de inversores de tração 2025-2034: Análise da quota e crescimento do mercado por propulsão (veículos elétricos a bateria (BEVs), veículos elétricos híbridos (HEVs), veículos elétricos híbridos plug-in (PHEVs), outras propulsões), por tecnologia e por tipo de veículo.
