Com as suas características de baixa resistência e baixa corrente de fuga, cumpre os requisitos para este tipo de MOSFET. O método de ligação para as suas duas saídas independentes é implementado internamente para melhorar a alimentação do dispositivo durante o arranque e o encerramento. As suas aplicações gerais incluem conversores de potência comutados, servomotores CA, equipamentos de soldadura, conversão de energia industrial e sistemas de alimentação ininterrupta (UPS).
Algumas das características mais notáveis são:
• Isolamento: 3500 Vca
• Carga capacitiva: 220 µF
• Capacidade de isolamento: 3,5 pF
• Temperatura de funcionamento: -40 a 105 °C
• Eficiência até 83%
• SIP
• Proteção contra curto-circuito
Modo de funcionamento:
O driver do MOSFET de SiC recebe a tensão de accionamento de 20 V e desliga a tensão de polarização de -4 V proveniente do QA01C. Para evitar danos nos elétrodos, será necessário adicionar um par de díodos Zener (D2 e D3) para absorver a tensão de pico. Além disso, recomenda-se o isolamento por optoacoplador para isolar o sinal entre o circuito de controlo e o circuito de alimentação principal, dado que a CMRR máxima do optoacoplador (30 kV) a uma tensão de isolamento elevada pode causar um pequeno atraso no alcance da frequência elevada característica destes MOSFETs.
