Tal como os produtos existentes na série TL1L4, [1A tecnologia GaN-on-Si tem sido utilizada para criar LEDs otimizados tanto para a emissão de luz como para a eficiência energética. No entanto, o novo tipo 4A5B melhora os produtos existentes, proporcionando um fluxo luminoso de 140lm (mín.)2], comparado com 130LM (mín.) [2Os novos produtos permitem-nos satisfazer as exigências do mercado para uma maior eficiência de iluminação, atingindo eficiências superiores a 110 lm/W3Os LED podem também contribuir para a redução do consumo de energia da iluminação LED.
Com 3,5 mm x 3,5 mm e com uma lente superior, os novos LED oferecem diferentes níveis de temperatura de cor correlacionada (CCT): o TL1L4-DW0 oferece 6500K, o TL1L4-nt0 oferece 5700K, o TL1L4-NW0 oferece 5000K e o TL1L4-WH0 oferece 4000K. Todos oferecem um índice de reprodução de cores (IRC) mínimo de RA70 e uma tensão direta típica de 2,8 V.
Notas:
[1] Tecnologia para a produção de wafers de nitreto de gálio (GaN) em silício (Si).
[2] Condições de ensaio: IF = 350 mA, Tj = 85 °C
[3] Em condições de 90% de eficiência do condutor, 90% de eficiência óptica, Tj = 85°C

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