Nos últimos anos, devido à crescente procura de sistemas de servidores em resposta ao número cada vez maior de dispositivos IoT, as melhorias na eficiência de conversão de energia e a redução do tamanho tornaram-se questões sociais importantes que exigem novos avanços no setor dos dispositivos de energia.
Uma vez que os dispositivos de GaN oferecem, geralmente, características de comutação superiores e uma menor resistência de condução do que os dispositivos de silício, espera-se que contribuam para a redução do consumo de energia das diferentes fontes de alimentação e para uma maior miniaturização dos componentes periféricos.
Além de produzir em massa dispositivos SiC líderes do setor e dispositivos de silício multifuncionais, a ROHM desenvolveu dispositivos GaN que oferecem um funcionamento superior a alta frequência na gama de média tensão, permitindo-nos fornecer soluções de energia para uma maior variedade de aplicações.
Estes novos produtos utilizam um design original que eleva a tensão nominal entre porta e fonte dos convencionais 6V para 8V. Como resultado, a degradação é evitada, mesmo que ocorram sobretensões superiores a 6V durante a comutação, melhorando assim a margem de projeto e aumentando a fiabilidade dos circuitos de alimentação. A série GNE10xxTB é oferecida num encapsulamento altamente versátil que proporciona uma dissipação de calor superior e uma elevada capacidade de corrente, facilitando o manuseamento durante a montagem.
A ROHM registou os seus dispositivos GaN, que contribuem para uma maior conservação de energia e miniaturização, sob o nome EcoGaN™, e está a trabalhar para expandir a linha com dispositivos de desempenho melhorado. No futuro, a ROHM continuará a desenvolver circuitos de controlo integrados que utilizam tecnologia de alimentação analógica, como o Nano Pulse Control™, e módulos que incorporam estes circuitos integrados, juntamente com soluções de energia que contribuem para uma sociedade sustentável, maximizando o desempenho dos dispositivos GaN.
Professor Masayoshi Yamamoto, Escola de Pós-Graduação em Engenharia, Universidade de Nagoya.
Este ano, o Ministério da Economia, Comércio e Indústria do Japão (METI) estabeleceu a meta de 30% de poupança de energia para novos centros de dados até 2030 — daqui a menos de 10 anos. No entanto, estes sistemas não devem ser apenas energeticamente eficientes, mas também resilientes e estáveis, uma vez que se tornaram uma parte vital da nossa infraestrutura social.
Em resposta a esta situação, a ROHM desenvolveu um novo dispositivo GaN que oferece uma tensão de porta não disruptiva de 8V, líder no setor, proporcionando uma durabilidade e estabilidade excecionais, além de conseguir uma poupança de energia superior. Com base nestes produtos, a ROHM continuará a melhorar a eficiência das fontes de alimentação, combinando-as com a sua tecnologia patenteada de fonte de alimentação analógica Nano Pulse Control™, criando uma importante tendência tecnológica que ajudará os setores dos semicondutores e das telecomunicações a atingir a neutralidade carbónica até 2040.
O que é o EcoGaN™?
EcoGaN™ refere-se a dispositivos de GaN que contribuem para a conservação de energia e miniaturização, maximizando a baixa resistência de condução e as características de comutação de alta velocidade do GaN. O objetivo é reduzir o consumo de energia da aplicação, miniaturizar os componentes periféricos e diminuir a complexidade do projeto e o número de peças necessárias.
*EcoGaN™ é uma marca comercial ou marca registada da ROHM Co., Ltd.
Exemplos de aplicação (Fig. 4)
• Circuitos conversores buck de entrada de 48 V para centros de dados e estações base
• Circuitos conversores boost para o bloco amplificador de potência de estações base
• Circuitos de acionamento LiDAR e circuitos de carregamento sem fios para dispositivos portáteis
• Amplificadores de áudio Classe D
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