O IRG7PK35UD1PbF, que integra um díodo de tensão direta ultrabaixa no mesmo encapsulamento, utiliza a tecnologia de trincheira de wafer fino Gen7 da IR para fornecer VCE(ON) extremamente baixo e comutação ultrarrápida, oferecendo as menores perdas de condução e comutação para aumentar a eficiência do sistema em aplicações de aquecimento por indução. A gama de tensão alargada do dispositivo, até 1400 V, permite o design de conversores de potência ressonantes paralelos com terminação única e maiores potências de saída, além de proporcionar uma proteção melhorada para projetos mais robustos.
 
O IRG7PK35UD1PbF expande a consagrada família de IGBTs da IR para aplicações de comutação suave até 1400 V, alargando assim a gama de potência dos sistemas de aquecimento por indução. A especialização da IR em aplicações de potência permite a otimização de dispositivos para satisfazer os requisitos técnicos de diversos sistemas de energia. Para
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