Com a omnipresença das interfaces USB, foram desenvolvidos muitos componentes e dispositivos compatíveis com as normas USB. A norma USB Power Delivery (USB PD) suporta níveis de potência mais elevados, desde 15 W (5 V/3 A) até um máximo de 240 W (48 V/5 A), e permite a comutação entre os lados de alimentação e receção. Isto exige que os dispositivos carregados por USB suportem alimentação bidirecional, e é para este caso de utilização que foi concebido o novo MOSFET de canal N com dreno comum SSM10N961L.
Até então, os MOSFET de canal N com dreno comum da Toshiba eram produtos de 12 V destinados principalmente à proteção de baterias de iões de lítio (Li-ion) em smartphones. O novo produto de 30 V pode ser utilizado em aplicações que exijam tensões superiores a 12 V, como a comutação de carga para linhas de alimentação de dispositivos de carregamento USB e a proteção de baterias de iões de lítio para aparelhos alimentados por bateria.
O SSM10N961L combina dois canais N numa configuração de drenagem comum, permitindo uma operação bidirecional. A sua tensão de rutura entre fontes (V(BR)SSS) é de 30 V, sendo adequado para aplicações de alta tensão, como computadores portáteis e tablets. Para minimizar as perdas em todas as aplicações, a resistência de condução entre fontes (RSS(ON)) é tipicamente de 9,9 mΩ.
Quando montado numa área de contacto de cobre de 18 µm e 407 mm², a corrente nominal do dispositivo é de 9,0 A. Aumentando o tamanho e a espessura da área de contacto para 70 µm e 687,5 mm², a corrente nominal sobe para 14,0 A.
Apesar das características de controlo de potência do SSM10N961L, o dispositivo é encapsulado num pacote pequeno e fino (TCSPAG-341501) com dimensões de apenas 3,37 mm × 1,47 mm × 0,11 mm, permitindo o desenvolvimento de soluções de elevada densidade.
A combinação do novo dispositivo com um CI driver TCK42xG permite a criação de um circuito de comutação de carga com prevenção de refluxo ou de um circuito multiplexador de potência capaz de alternar entre operações de fabrico. [Antes da interrupção (MBB - Make Before Brake) e antes do fabrico (BBM - Brake Before
Make ) ]
- Detalhes
- Categoria: Circuitos Integrados
MOSFET de canal N de 30 V com dreno comum
A Toshiba Electronics Europe GmbH ("Toshiba") lançou o seu primeiro MOSFET de canal N de 30 V com dreno comum. O novo dispositivo SSM10N961L oferece um funcionamento com baixas perdas e foi concebido especificamente para utilização em dispositivos com interfaces USB. Também pode ser utilizado para proteger baterias em aplicações móveis.
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