O novo relatório técnico detalha as vantagens de desempenho dos HEMTs PowiGaN de 1250 V da Power Integrations, líderes do setor, demonstrando a sua comprovada fiabilidade no terreno e a capacidade de satisfazer os requisitos de densidade de potência e eficiência (>98%) da arquitetura de 800 VCC. Além disso, o documento demonstra que um único comutador PowiGaN de 1250 V oferece uma maior densidade de potência e eficiência em comparação com os FETs GaN empilhados de 650 V e os dispositivos SiC de 1200 V concorrentes.
O relatório técnico destaca ainda os circuitos integrados InnoMux™2-EP da Power Integrations como uma solução exclusiva para fontes de alimentação auxiliares em centros de dados de 800 VCC. O switch PowiGaN de 1700 V integrado no dispositivo InnoMux-2 suporta uma tensão de entrada de 1000 VCC, enquanto o seu funcionamento SR ZVS proporciona uma eficiência superior a 90,3% do sistema de 12 V numa arquitetura de 800 VCC com refrigeração líquida e sem ventoinhas.
“Com as crescentes exigências de energia da IA, a transição para uma entrada de 800 VCC simplifica o design do bastidor, otimiza a utilização do espaço e reduz o consumo de cobre”, afirma Roland Saint-Pierre, vice-presidente de desenvolvimento de produtos da Power Integrations. “Com o aumento da procura de energia dos bastidores, acreditamos que os dispositivos PowiGaN de 1250 V e 1700 V são a escolha ideal para fontes de alimentação primárias e auxiliares, uma vez que oferecem a eficiência, a fiabilidade e a densidade de potência necessárias em centros de dados de 800 VCC.”.
A Power Integrations, o único fornecedor de comutadores GaN de alta tensão de 1250 V e 1700 V em produção em massa, lançou os seus primeiros circuitos integrados GaN em 2018 e conta atualmente com mais de 175 milhões de comutadores GaN em utilização em produtos finais que vão desde carregadores rápidos a centros de dados e veículos elétricos.
