Os dispositivos de SiC, juntamente com a vasta gama de microcontroladores e soluções analógicas da Microchip, integram a crescente família de produtos de SiC fiáveis. Estes produtos satisfazem a necessidade de maior eficiência, robustez e densidade de potência em veículos elétricos e outras aplicações de alta potência nos mercados industrial, aeroespacial e de defesa.
Os MOSFET de SiC de 700 V e os díodos Schottky de SiC de 700 V e 1200 V da Microchip alargam o seu portefólio de módulos de potência de SiC. Os mais de 35 produtos discretos adicionados ao portefólio da Microchip estão disponíveis em grande volume e contam com o apoio de uma vasta gama de serviços de desenvolvimento, ferramentas e projetos de referência, bem como de uma robustez excecional comprovada através de testes rigorosos. A extensa família de chips semicondutores, componentes discretos e módulos de potência de SiC está disponível em diversas classificações de tensão e corrente e tipos de encapsulamento.
Os MOSFET de SiC e os díodos Schottky da Microchip oferecem uma comutação mais eficiente a frequências mais elevadas e superam os testes de robustez a níveis considerados críticos para garantir a fiabilidade a longo prazo. Os díodos Schottky de SiC da empresa apresentam um desempenho aproximadamente 20% superior em comparação com outros díodos de SiC nos testes de robustez de Comutação Indutiva Não Fixada (UIS), que medem a capacidade dos dispositivos de resistir à degradação ou falha prematura em caso de surtos de avalanche, que ocorrem quando um pico de tensão excede a tensão de rutura do dispositivo.
