Isto inclui motores para veículos elétricos, como empilhadores, scooters elétricas e dispositivos de mobilidade, bem como motores industriais de alta potência.
Ao ligar dois ou mais MOSFETs em paralelo para lidar com uma elevada capacidade de corrente e reduzir as perdas por condução, pode ser difícil para os designers garantir que a corrente de carga é distribuída igualmente entre os dispositivos individuais durante o arranque e o encerramento. Os MOSFET com o menor VGS(th) serão ligados em primeiro lugar, levando a um maior stress térmico e acelerando a falha. Para proporcionar uma margem de segurança suficiente, os engenheiros sobredimensionam frequentemente os MOSFET utilizados nas suas aplicações finais. Esta abordagem, dispendiosa e demorada, requer geralmente testes adicionais, mas ainda não oferece garantias sobre o comportamento dos dispositivos sob correntes de carga mais elevadas (dezenas de amperes). Uma abordagem alternativa é encomendar dispositivos aos fornecedores que sigam rigorosamente as especificações, mas isto pode aumentar ainda mais o custo da aplicação final.
As características dos ASFETs PSMN1R9-80SSJ e PSMN2R3-100SSJ da Nexperia eliminam a necessidade de os projetistas adotarem qualquer uma destas abordagens, uma vez que proporcionam uma melhor partilha dinâmica de corrente. Estes interruptores oferecem uma diferença de corrente 50% mais baixa entre dispositivos em paralelo (para correntes até 50 A por dispositivo) durante a comutação on/off e oferecem também uma janela de VGS(th) até 50% mais baixa (0,6 V mín.-máx.). Esta vantagem, combinada com a baixa RDS(on) de 1,9 mΩ ou 2,3 mΩ, contribui para a elevada eficiência em aplicações de comutação de potência.
Os novos ASFET estão disponíveis no robusto e compacto encapsulamento LFPAK88 de 8 mm x 8 mm com clipe de cobre e oferecem uma gama de temperaturas de funcionamento de -55 °C a +175 °C.
