Diodos Schottky de SiC (SBDs)
A série SCS de díodos Schottky de SiC de alto desempenho da ROHM representa uma nova classe de díodos de carboneto de silício que oferecem baixa tensão direta e um tempo de recuperação rápido, resultando numa maior eficiência de conversão de energia. Ao contrário dos díodos de recuperação rápida baseados em silício, onde o tempo de recuperação (trr) aumenta com a temperatura, os dispositivos de SiC mantêm características constantes numa vasta gama de temperaturas, proporcionando um melhor desempenho em condições reais de utilização. Por exemplo, o SBD de 10A apresenta uma tensão direta (VF) de 1,5V a 25°C e de 1,6V a 150°C. Uma VF baixa reduz as perdas por condução, enquanto o tempo de recuperação inversa ultracurto (15 ns) facilita a comutação a alta velocidade e minimiza as perdas de ligação. Os díodos de SiC são ideais para PFC/fontes de alimentação, inversores de painéis solares, sistemas de alimentação ininterrupta (UPS), aparelhos de ar condicionado e outros produtos.
MOSFETs
consegue uma elevada tensão suportável, uma baixa resistência de condução e uma elevada velocidade de comutação num encapsulamento de elevada dissipação de calor, contribuindo para a miniaturização do dispositivo e para um menor consumo de energia, aumentando a eficiência. Além disso, a baixa resistência de condução e o tamanho compacto do chip garantem uma baixa capacitância e carga de porta. A série está a ser expandida e otimizada para dispositivos da próxima geração.
Isto torna-os dispositivos ideais para uma vasta gama de aplicações, como circuitos de PFC (Correção do Fator de Potência), conversores e inversores para conversão de energia. Os MOSFET são também adequados para conversores de potência, como os utilizados em veículos elétricos/híbridos e unidades industriais.
