A Toshiba Corporation expandiu a sua gama de IGBTs discretos de comutação robustos de 6ª geração para aplicações gerais e industriais com a adição do "GT50J342", um produto em encapsulamento TO-3P(N) com uma corrente de curto-circuito (IC) de 55A e uma tensão de alimentação (VCES) de 600V. A nova série garante VCE(sat) = 1,5V (típico) em condições de IC = 50A e tempo de resposta (tsc) = 5μs (Tj ≤ 150°C) e é adequada para utilização em variadores de uso geral e acionamentos de motores.
Aplicações: Inversores, unidades motoras de uso geral
Especificações principais:
1. Baixa tensão de saturação: VCE(sat) = 1,5 V (típica) a IC = 50 A;
2. Temperatura de junção elevada: Tj = 175 °C;
3.º Tempo de curto-circuito admissível: tsc = 5 μs (Tj ≤ 150 °C);
4. Incorpora díodos de recuperação rápida (FRD).
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