especialmente em equipamentos industriais e sistemas automóveis. Para este lançamento, o fabrico da embalagem foi subcontratado à ATX SEMICONDUCTOR (WEIHAI) CO., LTD. (doravante designada por ATX), um fornecedor experiente de OSAT (montagem e testes de semicondutores por terceiros).
A melhoria da eficiência dos motores e das fontes de alimentação, responsáveis pela maior parte do consumo global de eletricidade, tornou-se um grande desafio para alcançar uma sociedade descarbonizada. Uma vez que os dispositivos de potência são essenciais para o aumento da eficiência, espera-se que a adoção de novos materiais, como o SiC (carboneto de silício) e o GaN (nitreto de gálio), contribua ainda mais para o aumento da eficiência das fontes de alimentação.
A ROHM iniciou a produção em massa dos seus HEMTs GaN de 650 V de primeira geração em abril de 2023, seguida pelo lançamento de circuitos integrados de estágio de potência que combinam um driver de gate e um HEMT GaN de 650 V num único encapsulamento. Desta vez, a ROHM melhorou ainda mais o produto, incorporando elementos de segunda geração num encapsulamento TOLL e adicionando-o ao encapsulamento DFN8080 existente para fortalecer a linha de encapsulamentos HEMT GaN de 650 V da ROHM, satisfazendo assim a procura do mercado por aplicações de alta potência ainda mais pequenas e mais eficientes.
Os novos produtos integram chips GaN-Si de segunda geração num encapsulamento TOLL, alcançando valores líderes de mercado na métrica do dispositivo que correlaciona a resistência de condução e a carga de saída (RDS(on) × Qoss). Isto contribui para uma maior miniaturização e eficiência energética em sistemas de energia que exigem alta resistência à tensão e comutação de alta velocidade.
Para alcançar a produção em massa, a ROHM aproveitou a sua tecnologia proprietária e a sua expertise no design de dispositivos, cultivadas através de um sistema de produção verticalmente integrado, para realizar o design e o planeamento. No âmbito da colaboração anunciada a 10 de dezembro de 2024, os processos de front-end são geridos pela Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited (TSMC), enquanto os processos de back-end são geridos pela ATX. Além disso, a ROHM planeia estabelecer uma parceria com a ATX para produzir dispositivos GaN de nível automóvel.
Em resposta à crescente adoção de dispositivos GaN no setor automóvel, que deverá acelerar ainda mais em 2026, a ROHM planeia garantir a rápida introdução de dispositivos GaN de nível automóvel, reforçando estas parcerias, além de avançar nos seus próprios esforços de desenvolvimento.
Liao Hongchang, Consultor e Director Geral da ATX SEMICONDUCTOR (WEIHAI) CO., LTD.,
afirmou: “Estamos extremamente satisfeitos por termos recebido a confiança da ROHM, uma empresa de renome internacional com tecnologias de fabrico avançadas e instalações de produção próprias, que abrangem desde o fabrico de wafers até ao encapsulamento. As trocas técnicas com a ROHM começaram em 2017 e, atualmente, estamos a explorar oportunidades para uma colaboração mais profunda. Esta parceria foi possível graças ao histórico e à técnica da ATX no fabrico de dispositivos GaN. Olhando para o futuro, planeamos também colaborar com a ROHM no desenvolvimento de dispositivos GaN para o setor automóvel.
Satoshi Fujitani, Director Geral da Unidade de Produção AP da ROHM Co., Ltd.:
“Estamos muito satisfeitos por termos produzido com sucesso os HEMTs de GaN de 650V no encapsulamento TOLL, atingindo o desempenho esperado. A ROHM oferece não só dispositivos de GaN independentes, mas também soluções de potência que os combinam com circuitos integrados, aproveitando a expertise da ROHM em tecnologia analógica. O conhecimento e a filosofia cultivados no design destes produtos também são aplicados ao desenvolvimento de dispositivos. A colaboração com fornecedores OSAT como a ATX, que possui capacidades técnicas excecionalmente avançadas, permite-nos manter a liderança no mercado de GaN em rápido crescimento, ao mesmo tempo que utilizamos os pontos fortes da ROHM para levar dispositivos inovadores ao mercado. No futuro, continuaremos a melhorar o desempenho dos dispositivos de GaN para incentivar ainda mais a miniaturização e a eficiência numa ampla variedade de aplicações, contribuindo para enriquecer a vida das pessoas.”
O EcoGaN™
é a nova linha de dispositivos GaN da ROHM que contribui para a poupança de energia e miniaturização, maximizando as propriedades do GaN para alcançar um menor consumo de energia em aplicações, componentes periféricos mais pequenos e projetos mais simples que requerem menos peças.
EcoGaN™ é uma marca comercial ou marca registada da ROHM Co., Ltd.
Gama de produtos
Exemplos de aplicação:
Fontes de alimentação para servidores, estações base de comunicação, equipamentos industriais e muito mais.
Adaptadores CA (carregadores USB), inversores fotovoltaicos, SAE (sistemas de armazenamento de energia).
Podem ser instalados numa vasta gama de sistemas de alimentação com uma potência de saída de 500 W a 1 kW.
