O novo comutador de RF SPDT de alta potência da Toshiba (TCWA1225G) oferece uma potência de entrada de pico de 46 dBm (a 8 dB PAR). Isto foi conseguido pela adopção do processo CMOS original da Toshiba e pela optimização do circuito de comutação interno. O processo CMOS também reduz a perda de inserção para evitar a diminuição da potência de transmissão e da sensibilidade do receptor. Como resultado, a perda de inserção do TCWA1225G é de 0,6 dB (típica a 5 GHz), aproximadamente 10% inferior à dos produtos concorrentes.

A tensão nominal de funcionamento é de 3,3 V e o consumo de energia é de apenas 50 μA. O novo dispositivo pode operar a temperaturas ambiente que variam entre -40 °C e +95 °C.

O TCWA1225G está encapsulado num minúsculo WCSP (Wafer-level Chip Scale Package) com apenas 1,9 mm x 1,9 mm, uma área 10% mais pequena do que outros dispositivos. Todos os pads importantes, incluindo terminais de RF, alimentação e controlo, estão localizados na periferia do dispositivo para simplificar o design da placa de circuito impresso.

Como parte da implementação do 5G, as estações base de telecomunicações incorporaram recentemente MIMO massivo (múltiplas entradas, múltiplas saídas) e múltiplas antenas TX/RX para fornecer serviços de comunicação rádio ultrarrápidos e de altíssima capacidade.

As antenas individuais consistem cada vez mais em caminhos de transmissão de sinal complexos que requerem comutação RF. Isto exige uma baixa perda de inserção e uma alta potência de entrada num pacote compacto para manter ou reduzir o tamanho da antena.

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