As perdas de comutação da tecnologia PowiGaN de 1250 V patenteada pela Power Integrations são inferiores a um terço das observadas em dispositivos de silício equivalentes à mesma tensão. O resultado é uma eficiência de conversão de energia de até 93%, possibilitando fontes de alimentação flyback muito compactas que podem fornecer até 85 W sem dissipador de calor.
Nas palavras de Radu Barsan, Vice-Presidente de Tecnologia da Power Integrations: “A Power Integrations continua a impulsionar o desenvolvimento e a implementação comercial da tecnologia GaN de alta tensão, tornando obsoletos até mesmo os melhores MOSFETs de silício de alta tensão. Fomos os primeiros a comercializar grandes volumes de circuitos integrados de alimentação baseados em GaN em 2019 e, no início deste ano, lançámos uma versão de 900 volts dos nossos produtos InnoSwitch baseados em GaN. O nosso desenvolvimento contínuo da tecnologia GaN de alta tensão, aqui ilustrado pelos nossos novos dispositivos de 1250 V, alarga os benefícios de eficiência do GaN a uma gama ainda maior de aplicações, incluindo muitas atualmente servidas pela tecnologia de carboneto de silício.”
Os designers que utilizam os novos CI InnoSwitch3-EP de 1250 V podem especificar com confiança uma tensão máxima de funcionamento de 1000 V, permitindo uma redução de 80% em relação à tensão máxima absoluta padrão da indústria de 1250 V. Isto proporciona uma margem de segurança significativa para aplicações industriais e é especialmente valioso em ambientes de redes elétricas severas, onde a robustez é uma defesa essencial contra instabilidades, surtos e outras perturbações na rede.
Disponibilidade e Recursos
: As amostras já estão disponíveis; o prazo de entrega dos circuitos integrados InnoSwitch3-EP de 1250 V é de 16 semanas. O preço dos dispositivos InnoSwitch3-EP de 1250 V no encapsulamento INSOP-24D começa nos 3 dólares por 10.000 unidades. Um projeto de referência, DER-1025, que descreve um conversor flyback de 12 V e 6 A,
