Andrea Bricconi, Diretor Comercial da CGD, afirma: “O crescimento explosivo da IA está a impulsionar um aumento significativo do consumo de energia, levando os designers de sistemas de data center a priorizar a utilização de GaN para soluções energéticas eficientes e de alta potência. Esta nova série de CI Power GaN é mais um passo nos esforços da CGD para ajudar os nossos clientes e parceiros a atingir e superar a densidade de potência de 100 kW/rack nos data centers, exigida pelas últimas tendências de TDP (Thermal Design Power) para computação de alta densidade.” Em relação aos inversores de controlo de motores, os desenvolvedores estão a recorrer ao GaN para reduzir o calor e obter sistemas de energia mais pequenos e mais duráveis. Estes são apenas dois exemplos dos mercados que a CGD está agora a visar agressivamente com estes novos CI ICeGaN de alta potência. O design simplificado do driver de gate e os custos reduzidos do sistema, combinados com a embalagem avançada de alto desempenho, fazem dos CI da série P2 uma excelente escolha para estas aplicações.
Os circuitos integrados ICeGaN, que incorporam um circuito de proteção Miller integrado para eliminar as perdas durante a comutação rápida e o desligamento a 0V para minimizar as perdas por condução inversa, superam os circuitos integrados discretos de GaN em modo e e outras tecnologias existentes. Os novos encapsulamentos oferecem uma resistência térmica melhorada de apenas 0,28 K/W — mais uma vez, equivalente ou melhor do que qualquer outra solução atualmente disponível no mercado — e o arranjo de pinos de porta dupla do encapsulamento de dupla face DHDFN-9-1 (DFN com espalhador de calor duplo) facilita o design ideal de PCBs e o paralelismo para escalabilidade, permitindo aos clientes lidar com aplicações de múltiplos kW com facilidade. Os novos encapsulamentos também foram concebidos para melhorar a produtividade, com arestas molháveis para simplificar a inspeção ótica.
Os novos circuitos integrados de potência ICeGaN da série P2 estão agora em fase de testes. A família inclui quatro dispositivos com níveis de RDS(on) de 25 mΩ e 55 mΩ, e potências nominais de 60 A e 27 A, respetivamente, em encapsulamentos DHDFN-9-1 e BHDFN-9-1 (DFN com dissipador de calor inferior) de 10 x 10 mm. Como todos os produtos ICeGaN da CGD, a série P2 pode ser controlada por qualquer driver MOSFET ou IGBT standard.
Duas placas de demonstração incorporam os novos dispositivos P2: uma placa de demonstração de um inversor automóvel trifásico, desenvolvido em colaboração com o instituto público francês de I&D IFP Energies nouvelles, e uma placa de demonstração de correção do fator de potência de um totem de 3 kW.
Os novos circuitos integrados de potência ICeGaN GaN da série P2 e as placas de demonstração foram apresentados ao público na feira PCIM, no stand nº 7643 da CGD, Nürnberg Messe, Nuremberga, Alemanha, de 11 a 13 de junho de 2024.
