Os drivers de gate IGBT SCALE-2 são adequados para controlar MOSFETs de potência e dispositivos baseados em novos materiais, como o carboneto de silício (SiC), operando a frequências de comutação até 500 kHz.
Os drivers de gate IGBT SCALE-2 da Power Integrations baseiam-se num chipset ASIC avançado que integra todas as funcionalidades de um núcleo de driver de gate de canal duplo numa interface primária LDI (Lógica para Driver) e num chip secundário IGD (Smart Gate Driver). O elevado nível de integração do chipset ASIC permite uma redução drástica do número de componentes discretos, resultando em vantagens de custo e fiabilidade para os projetistas. Os módulos estão disponíveis com capacidades de tensão de bloqueio de 600 V a 6500 V e de 1 W a 20 W por canal. Para garantir um desempenho ideal no acionamento direto de elementos DMOS tipo N externos, os estágios de pré-driver de cada módulo incorporam resistências de gate separadas para um controlo independente da funcionalidade de ligar/desligar.
Cada módulo oferece aos designers flexibilidade e funcionalidade do produto através de um desempenho e precisão de comutação dinâmica otimizados, proporcionando uma elevada fiabilidade e desempenho analógico, bem como um tamanho reduzido de recursos digitais que otimiza o custo e o desempenho. Os módulos oferecem todas as funções de controlo comuns necessárias para operar uma vasta gama de aplicações industriais, de controlo de motores, transmissão de energia, tração, energia solar, eólica e automóvel.
