A ROHM Semiconductor oferece uma vasta gama de MOSFETs de SiC para todas estas aplicações. Mas escolher o MOSFET de SiC certo não é suficiente: também é necessário utilizar o CI de driver de gate apropriado. Os modelos BM61S40RFV-C e BM61S41RFV-C, por exemplo, fornecem uma tensão de isolamento de 3750 Vrms, um tempo de atraso de E/S de 65 ns e uma largura mínima de impulso de entrada de 60 ns. Com características de proteção integradas, como o Miller Clamp e o Undervoltage Lockout (UVLO), estes CI são adequados para acionar todos os MOSFET de SiC da ROHM. Em alternativa, os CI de driver de gate também podem ser utilizados para acionar MOSFETs de silício tradicionais e IGBTs de silício.

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