Todos os dispositivos oferecem não só capacidades de gestão de energia otimizadas, mas também um design de pacote inovador e compacto que satisfaz as necessidades de uma vasta gama de aplicações, tais como fontes de alimentação de grande dimensão, inversores, equipamentos industriais, servidores e outros.
Apresentou
Módulos de potência SiC completos de 1200V/300A.
O novo BSM300D12P2E001 é especialmente adequado para aplicações de alta potência, como fontes de alimentação de grande capacidade para equipamentos industriais, devido à sua corrente nominal de 300A. Além disso, apresenta perdas de comutação 77% inferiores em comparação com os módulos IGBT convencionais, permitindo o funcionamento a alta frequência e possibilitando medidas de arrefecimento e componentes periféricos mais pequenos. A ROHM incorpora um novo design de encapsulamento que minimiza o impacto dos picos de tensão durante a comutação. Uma estrutura original de mitigação do campo elétrico, juntamente com um novo método de blindagem, é utilizada para proporcionar uma elevada fiabilidade, tornando-o um substituto perfeito para módulos IGBT com classificações de corrente máxima mais elevadas. O novo dispositivo complementa a gama existente de módulos de potência SiC completos de 1200V/120A (incluindo MOSFET e SBD) e 1200V/180A (apenas MOSFET), respetivamente, que já têm apresentado uma crescente adoção nos setores industrial e energético.
Módulos de Potência Inteligentes (IPMs) com IGBT:
A nova família de IPMs (Smart Power Modules) para o controlo eficiente de aplicações de motores e inversores inclui módulos baseados em IGBT otimizados para funcionamento a baixa ou alta velocidade, bem como IPMs baseados em MOSFET incorporando a tecnologia patenteada Low Ron SuperJunction MOSFET (PrestoMOS™) da ROHM, todos num encapsulamento compacto HSDIP25. Isto proporciona aos desenvolvedores de motores industriais e de eletrodomésticos uma solução altamente fiável e uma variedade de opções de design com uma excelente relação custo-benefício. Os novos dispositivos reduzem significativamente a perda de potência em cargas ligeiras e pesadas, ao mesmo tempo que aumentam a capacidade de potência. A gama completa inclui IGBT-IPMs de 10A, 15A e 20A 600V; versões de 30A estão em desenvolvimento.
Circuitos Integrados de Controlo para Conversores CA/CC com MOSFETs de SiC:
O BD7682FJ-LB facilita a implementação de MOSFETs de SiC em conversores CA/CC, superando o desafio das configurações discretas. Oferece uma solução altamente integrada e estabelece novos padrões para a poupança de energia e miniaturização, além de apoiar a adoção de semicondutores de potência de SiC. Comparativamente aos MOSFET de silício utilizados nos conversores CA/CC convencionais, os MOSFET de SiC permitem conversores CA/CC com até 6% de melhoria na eficiência energética. Além disso, não são necessários componentes de dissipação de calor (como fontes de alimentação de 50 W), resultando numa maior compactação. A especificação do BD7682FJ-LB inclui também diversas características de proteção que permitem o suporte a tensões elevadas até 690 Vca, tornando-os ideais para equipamentos industriais em geral e aumentando a fiabilidade.
