O BD7682FJ-LB permite a fácil implementação de MOSFETs de SiC em conversores AC/DC. O projeto de conversores AC/DC tem-se mostrado desafiante quando se utilizam configurações discretas devido ao grande número de componentes necessários. Em contraste, o mais recente produto da ROHM oferece uma solução altamente integrada e estabelece novos padrões para a poupança de energia e miniaturização, ao mesmo tempo que apoia a adoção de semicondutores de potência de SiC que proporcionam níveis avançados de eficiência e desempenho.
Em comparação com os MOSFET de silício utilizados nos conversores CA/CC convencionais, os MOSFET de SiC permitem conversores CA/CC com até 6% mais de eficiência energética. Além disso, eliminam a necessidade de componentes de dissipação de calor (por exemplo, em sistemas de alimentação de 50 W), resultando em sistemas mais compactos. A especificação BD7682FJ-LB inclui ainda diversas características de proteção que permitem o suporte a tensões elevadas até 690 Vca, tornando-os ideais para equipamentos industriais em geral, além de melhorar a fiabilidade.
Nos últimos anos, tem-se verificado uma tendência crescente para a conservação de energia em todos os setores. Isto inclui aplicações de equipamentos industriais de alta tensão. Atingir este objetivo requer a adoção de semicondutores de potência avançados e circuitos integrados de alimentação. Entre estes, espera-se que os semicondutores de potência de SiC ganhem terreno em relação às soluções de silício devido às suas capacidades de tensão mais elevadas, maior economia de energia e formato mais compacto.
No entanto, até à data, não existe um circuito integrado de controlo capaz de extrair desempenho suficiente dos MOSFETs de SiC, principalmente em sistemas conversores CA/CC. Consequentemente, os projetistas enfrentam inúmeros desafios relacionados com o consumo de energia e a estabilidade numa variedade de aplicações de alta potência.
Para satisfazer estas necessidades, a ROHM utiliza tecnologia analógica comprovada, combinada com a expertise em semicondutores de potência de SiC, para desenvolver o primeiro controlador de conversor CA/CC do setor, especificamente concebido para controlar MOSFETs de SiC. Olhando para o futuro, a ROHM continuará a inovar com soluções líderes de mercado, incluindo o desenvolvimento de novos circuitos integrados de controlo de conversores CA/CC com MOSFETs de SiC integrados.
Principais Características
1. Maximiza o Desempenho do MOSFET de SiC com uma Economia de Energia Inovadora
O BD7682FJ-LB integra um circuito de controlo de porta otimizado para acionamentos de MOSFET de SiC, combinando a tecnologia de design analógico com a expertise no desenvolvimento de semicondutores de potência de SiC. Além disso, um sistema quase ressonante oferece menor ruído e maior eficiência em comparação com os métodos PWM convencionais, possibilitando maximizar o desempenho dos MOSFETs de SiC utilizados. em conversores AC/DC, resultando numa significativa poupança de energia.
2.º Os MOSFET de SiC contribuem para uma miniaturização sem precedentes.
Ao contrário dos MOSFETs de silício convencionais, a adoção de MOSFETs de SiC em conversores CA/CC elimina a necessidade de componentes de dissipação de calor, contribuindo para projetos de conversores CA/CC mais pequenos e mais leves. O suporte para frequências de comutação mais elevadas (ou seja, 120 kHz) também é garantido, expandindo a aplicabilidade e melhorando a eficiência.
3.º Múltiplos circuitos de proteção suportam o funcionamento em alta tensão até 690 Vca.
Diversos circuitos de proteção permitem o funcionamento em alta tensão em conversores CA/CC até 690 Vca – ideal para aplicações industriais gerais de 400 Vca. Para além da proteção contra sobretensão no pino de alimentação e da contramedida para subtensão (brown in/out) no pino de entrada, estão também incluídas funções de proteção contra sobrecorrente e sobretensão secundária, permitindo o funcionamento contínuo em equipamentos industriais e melhorando significativamente a fiabilidade.
Vantagens dos MOSFET de SiC:
Os MOSFET de SiC oferecem diversas vantagens em relação aos MOSFET de silício na região de alta tensão, incluindo baixas perdas de comutação e condução, compatibilidade com alta potência e maior resistência às variações de temperatura. Aproveitar estes benefícios permite melhorar a eficiência de conversão de energia, miniaturizar componentes para dissipação de calor, aumentar a frequência de operação para suportar indutores mais pequenos e muito mais, resultando numa maior poupança de energia, menos componentes e uma área de montagem reduzida.
