A Microchip Technology Inc. anunciou a expansão do seu portfólio de SiC com o lançamento de MOSFETs de SiC de 3,3 kV com a menor resistência de condução [RDS(on)] e de díodos Schottky de SiC (SBDs) com a maior capacidade de corrente do mercado, permitindo aos designers tirar partido da sua robustez, fiabilidade e desempenho. Com este portfólio alargado de SiC, os designers da Microchip têm as ferramentas necessárias para desenvolver soluções mais pequenas, mais leves e mais eficientes para transporte eletrificado, energia renovável, aeroespacial e aplicações industriais.
Muitos projetos baseados em silício atingiram os seus limites em termos de eficiência máxima, redução de custos do sistema e inovação de aplicações. Embora o SiC de alta tensão seja uma alternativa comprovada para alcançar estes resultados, a disponibilidade de dispositivos de potência de SiC de 3,3 kV era limitada até então. Os MOSFETs e SBDs de 3,3 kV da Microchip juntam-se ao abrangente catálogo de soluções de SiC da empresa, que consiste em dispositivos discretos não encapsulados, módulos e drivers de porta digitais para 700 V, 1200 V e 1700 V.
Os dispositivos de potência SiC de 3,3 kV da Microchip incluem MOSFETs com RDS(on) de 25 mOhm, o mais pequeno do mercado, e díodos Schottky (SBDs) com corrente nominal de 90 A, a mais elevada do mercado. Tanto os MOSFET como os SBD estão disponíveis com ou sem encapsulamento. Estes novos níveis de desempenho permitem aos projetistas simplificar os seus projetos, criar sistemas de maior potência e utilizar menos componentes em paralelo para soluções energéticas mais pequenas, mais leves e mais eficientes.
"O nosso foco está nos desenvolvimentos que permitam aos nossos clientes introduzir inovações nos seus sistemas rapidamente e melhorar a vantagem competitiva dos seus produtos finais com maior agilidade", afirmou Leon Gross, vice-presidente da Unidade de Negócio de Produtos Discretos da Microchip. "A nossa nova família de produtos de potência SiC de 3,3 kV permite aos clientes adotar a tecnologia SiC de alta tensão com facilidade, rapidez e confiança, aproveitando as inúmeras vantagens desta tecnologia inovadora em relação aos projetos baseados em silício."
A Microchip anunciou a produção de centenas de dispositivos e soluções de potência em SiC nos próximos três anos, garantindo que os projetistas encontram a combinação ideal de tensão, corrente e encapsulamento para os requisitos das suas aplicações. Todos os MOSFETs e díodos Schottky de silício (SBDs) em SiC da Microchip são concebidos com foco na confiança do cliente e oferecem os mais elevados níveis de robustez e fiabilidade do mercado. Os dispositivos da empresa seguem práticas de obsolescência definidas pelo cliente, garantindo que continuarão a ser fabricados enquanto houver procura e a Microchip tiver capacidade de produção.
Os clientes podem combinar os produtos em SiC da Microchip com outros dispositivos da empresa, como os seus microcontroladores de 8, 16 e 32 bits, dispositivos de gestão de energia, sensores analógicos, controladores de toque e gestos e soluções de conectividade sem fios, para criar sistemas completos com um custo total de propriedade mais baixo.
Ferramentas de desenvolvimento:
O portfólio alargado de dispositivos em SiC é suportado por uma variedade de modelos SPICE para SiC compatíveis com os módulos de simulação analógica MPLAB® Mindi™ e os projetos de referência de placas de controlo da Microchip. A Ferramenta de Configuração Inteligente (ICT) permite aos designers desenvolver modelos eficientes de drivers de gate SiC para a família AgileSwitch® de drivers de gate digitais configuráveis da Microchip.
Disponibilidade:
Já estão a ser aceites encomendas prontas para produção para estes dispositivos SiC discretos de 3,3 kV, disponíveis em diversas opções de encapsulamento.
