A Toshiba Electronics Europe anunciou um novo driver de alta tensão para MOSFETs de potência de canal N que pode ser controlado por uma entrada lógica de 3,3 V.O TPD7104AF possui proteção contra curto-circuito, funções de diagnóstico e uma função de prevenção de corrente inversa para evitar o fluxo de corrente inversa em caso de inversão da polaridade da bateria. Foi concebido para aplicações automóveis, tais como interruptores de ligar/desligar em sistemas start/stop, relés semicondutores em unidades de controlo eletrónico (ECUs) e caixas de derivação em sistemas de baterias de 12 V.
Combinando um driver de gate TPD7104AF e um MOSFET de potência de canal N, um relé semicondutor pode ser facilmente criado graças à sua bomba de carga integrada. A adição de um resistor shunt permite funções de proteção contra curto-circuitos e de diagnóstico.
O TPD7104AF tem uma fuga de corrente de saída muito baixa para a condição de polarização inversa da bateria: IRev = -1μA (min) (@ Tj = 25 ° C) [1] Alojado num pacote PS-8 compacto, o dispositivo mede apenas 2,8 mm x 2,9 mm.
[1] O pino nº 4 está aberto e VDD = -5 a -18V.
