Este driver de gate para MOSFET foi concebido para configurar um multiplexador de potência ou um circuito de comutação de carga que incorpora bloqueio de corrente inversa, juntamente com uma ligação back-to-back de MOSFETs de canal N externos.
 
O TCK421G possui um circuito de bomba de carga que suporta uma vasta gama de tensão de entrada (VIN) de 2,7 a 28,0 V e fornece uma alimentação estável de 10 V para a tensão gate-source dos MOSFETs externos, facilitando assim a comutação de alta corrente. A corrente de entrada quiescente típica quando LIGADO (IQ(ON)) tem um valor mínimo de 140 mA, enquanto a corrente de espera quando DESLIGADO (IQ(OFF)) é de apenas 0,5 mA. Além disso, o TCK421G inclui proteção contra sobretensão e subtensão. A tensão de controlo do gate pode ser selecionada para satisfazer as necessidades da aplicação.
 
O dispositivo, fornecido num encapsulamento WCSP6G, ocupa uma área de apenas 1,2 mm x 0,8 mm e tem 0,35 mm de altura. Este é um dos encapsulamentos mais pequenos do setor, permitindo a utilização em dispositivos de alta densidade, como wearables e smartphones.
 
O TCK421G é o primeiro produto anunciado de uma série que será constituída por seis dispositivos. Devido à sua elevada eficiência e tamanho reduzido, o novo driver pode ser utilizado numa ampla variedade de aplicações, incluindo equipamentos alimentados por bateria, eletrónica de consumo e industrial.

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