A elevada tensão de bloqueio permite aos engenheiros de potência substituir os MOSFET de silício convencionais pelos novos MOSFET de SiC, oferecendo maior eficiência, um driver mais simples e menor dissipação de calor, reduzindo assim os custos globais do sistema.
O novo encapsulamento SMD foi concebido especificamente para os MOSFETs de SiC de alta tensão, ocupando uma pequena área e apresentando uma generosa distância de fuga dreno-fonte de 7 mm. Isto é possível graças ao pequeno tamanho do semicondutor e à elevada capacidade de bloqueio da tecnologia planar de MOSFET de SiC da Wolfspeed™. O novo encapsulamento inclui também um pino ligado à fonte do MOSFET, o que ajuda a reduzir o ruído de porta e fornece sinais mais limpos.
"O nosso novo MOSFET de SiC de 1700 V oferece aos engenheiros de eletrónica de potência vantagens significativas de design em topologias flyback", explica Edgar Ayerbe, Responsável de Marketing de MOSFETs de Potência da Wolfspeed. "Devido às baixas perdas de comutação no carboneto de silício, os dispositivos operam a temperaturas muito mais baixas no semicondutor. Isto permite aos clientes montar os dispositivos diretamente na placa de circuito impresso (PCB) sem a necessidade de dissipadores de calor adicionais. Isto reduz os custos de fabrico e melhora a fiabilidade do sistema. O resultado é uma fonte de alimentação mais pequena e mais leve, com um custo de sistema inferior ao possível com os dispositivos de silício convencionais."
A aplicação do novo MOSFET de SiC de 1700 V destina-se principalmente a fontes de alimentação auxiliares em inversores de alta potência, tais como inversores de energia solar, conversores de frequência de motores, equipamentos de UPS, conversores de energia para turbinas eólicas e sistemas de tração. Estes sistemas requerem normalmente a conversão da tensão do barramento para uma baixa tensão CC para operar a lógica do sistema, os circuitos de proteção, os displays, a interface com a rede elétrica e os ventiladores de refrigeração. Também podem ser utilizados em fontes de alimentação de contadores de energia trifásicos ou em qualquer aplicação em que o conversor exija alta tensão de bloqueio e baixa capacitância.
O novo MOSFET de SiC de 17000V, designado C2M1000170J, tem uma capacidade de avalanche acima dos 1800V e uma resistência Rdson de 1Ω. Estas características garantem um desempenho fiável em circuitos conversores flyback, incluindo em ambientes com ruído elétrico, como inversores de alta potência. O MOSFET de SiC de 1700 V simplifica o design da topologia flyback com um simples interruptor de tensão de entrada de 200 V para 1000 V, reduzindo a complexidade do controlo de acionamento e reduzindo ou eliminando os condensadores de amortecimento necessários nos dispositivos de silício.
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