Utilizando o avançado processo epitaxial da Toshiba, a nova série DTMOS IV-H de MOSFETs de superjunção é ideal para aplicações que exigem elevada fiabilidade, eficiência energética e um design compacto. São aplicáveis ​​a fontes de alimentação comutada de alta eficiência para servidores e estações base de telecomunicações, bem como a condicionadores de energia para inversores fotovoltaicos.
 
A nova série consegue um elevado desempenho de comutação, mantendo a baixa resistência "ON" dos DTMOS IV convencionais — tudo isto sem perda de potência. Isto é conseguido através da redução da capacitância parasita entre porta e dreno (Ciss típico que varia entre 3000 a 6500 pF), o que também contribui para a melhoria da eficiência energética e para a redução do tamanho do produto.
 
O padrão de porta otimizado resulta numa redução de 45% da carga entre porta e dreno (Qg típico variando de 65 a 135 nC) em comparação com os DTMOS IV convencionais. A nova linha de produtos apresenta uma baixa resistência de condução (RDS(ON) MAX a VGS=10V varia de 0,088 a 0,040 Ω), e os dispositivos apenas exibem um ligeiro aumento da resistência de condução a altas temperaturas devido ao processo de fabrico epitaxial. O consumo de corrente varia entre 6,8 a 30,8 A.
 
A nova série DTMOS IV-H está atualmente disponível em encapsulamentos T0-247, com opções de encapsulamento adicionais, incluindo DFN de 8x8 mm, T0-220 e T0-220SIS, em breve.

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