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Detalhes
Categoria: Circuitos Integrados
28 de abril de 2021

MOSFETs GaN de 650 V para fontes de alimentação com certificação 80 PLUS® Titanium a partir de 2 kW

A Nexperia anuncia a disponibilidade em larga escala da sua família de MOSFETs de potência GaN de 650 V de segunda geração, oferecendo vantagens de desempenho significativas em relação às tecnologias anteriores e aos dispositivos concorrentes. Com uma resistência de condução (RDS(on)) até 35 mΩ (típica), os novos MOSFET de potência GaN estão orientados para fontes de alimentação comutada (SMPS) industriais monofásicas CA/CC e CC/CC de 2 kW a 10 kW, especialmente fontes de alimentação para servidores e telecomunicações que devem cumprir a norma de eficiência 80 PLUS® Titanium. Os dispositivos são também adequados para inversores solares e servo-acionamentos na mesma gama de potência.
Disponíveis em encapsulamento TO-247, os novos MOSFET de potência GaN H2 de 650 V oferecem uma redução de tamanho de 36% para um determinado valor de RDS(on), melhorando a estabilidade e a eficiência.

A configuração em cascata elimina a necessidade de controladores complexos, acelerando o tempo de lançamento no mercado. Os dispositivos oferecem um desempenho excecional tanto em configurações de comutação rígida como em configurações de comutação suave, proporcionando aos designers a máxima flexibilidade.
Dilder Chowdhury, Diretor de Marketing Estratégico para GaN na Nexperia, explica: “O titânio é a especificação mais exigente do 80 PLUS®, exigindo uma eficiência superior a 91% em condições de carga total (superior a 96% com 50% de carga). Atingir este nível de desempenho em aplicações de energia para servidores que operam a 2 kW ou mais, utilizando componentes de silício convencionais, é complexo e desafiante. Os novos FET de potência GaN da Nexperia são perfeitamente adequados para uma configuração totem pole elegante e sem ponte, que utiliza menos componentes e reduz tanto o tamanho físico como os custos.”
Os FET GaN GAN041-650WSB da Nexperia já estão disponíveis em grande volume.


Fichas técnicas dos produtos e vídeos explicativos rápidos.
Os designers podem ver os FET de GaN da Nexperia em ação, visitando o stand da Nexperia na PCIM Digital Days, de 3 a 7 de maio. 

IPM IGBT de 600 V baixa : Dispositivos de proteção ESD para interfaces de alta velocidade em aplicações automóveis seguinte
  • Fusíveis eletrónicos Toshiba TCKE5 para linhas de alimentação de 1,8 a 5 V

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  • Quarta geração da família de circuitos integrados CAPZero™ da Power Integrations para descarga de condensadores do tipo X

  • Entrevista: Veículos Elétricos e GaN para Engenharia e Infraestruturas de Veículos Elétricos

  • Tecnologia GaN para melhorar a eficiência do data center

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  • A eInfochips demonstra as suas capacidades de design e fabrico de ASICs "chave na mão" com um chip de teste

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