Fornecidos em encapsulamentos TO-247 standard, estes dispositivos oferecem o melhor desempenho da sua classe para aplicações industriais e de poupança de energia.
Os novos dispositivos Gen8 estão disponíveis para correntes de 8 A a 60 A, com uma tensão VCE(ON) típica de 1,7 V e um tempo de resposta a curto-circuito de 10 µs para reduzir a dissipação de energia, resultando numa maior densidade de potência e robustez superior.
A nova tecnologia proporciona características de ativação mais suaves para aplicações de acionamento de motores, minimizando a variação de tensão (dv/dt) para reduzir a interferência eletromagnética (EMI) e a sobretensão, além de aumentar a fiabilidade e a robustez. A distribuição precisa de parâmetros oferece uma excelente partilha de corrente quando vários IGBTs são ligados em paralelo. A tecnologia de wafer fino melhora a resistência térmica, e a temperatura máxima de junção atinge os 175 °C.
- Detalhes
- Categoria: Circuitos Integrados
IGBT Gen8 de 1200 V em encapsulamento TO-247 standard
A International Rectifier apresenta uma nova geração de plataforma tecnológica IGBT (Transistor Bipolar de Porta Isolada). A plataforma IGBT de 1200 V de 8ª geração (Gen8) utiliza a mais recente tecnologia de bloqueio de campo de porta de trincheira da IR
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