Os novos dispositivos utilizam a tecnologia de paragem de campo em wafer ultrafino da IR, que reduz as perdas de condução e comutação. Fornecidos no mesmo encapsulamento com um díodo de recuperação suave de baixo Qrr e apresentando um tempo mínimo de curto-circuito de 10 µs, os dispositivos estão otimizados para aplicações industriais robustas.
 
Estes novos IGBTs de trincheira de 1200 V oferecem Vce(on) muito baixo e perdas de comutação significativamente reduzidas, bem como maior eficiência do sistema e capacidade de resposta a transitórios para maior fiabilidade, tornando-os adequados para ambientes industriais severos.
 
Os dispositivos encapsulados abrangem uma vasta gama de corrente de 10 a 50 A. Outras vantagens importantes incluem um Tjmax máximo de 150 °C, um coeficiente de temperatura positivo de Vce(on) para facilitar o paralelismo e um Vce(on) mais baixo para reduzir a dissipação de energia e alcançar uma maior densidade de potência. Produtos sem encapsulamento também estão disponíveis.

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