Nos últimos anos, devido às suas vantagens em termos de poupança de energia, o SiC tem sido cada vez mais utilizado em aplicações de 1200 V, como veículos elétricos e equipamentos industriais. A tendência para uma maior densidade de potência resulta em tensões de sistema mais elevadas e, consequentemente, numa maior procura de produtos de 1700 V. No entanto, o desafio reside em alcançar a fiabilidade necessária, razão pela qual os IGBT de silício continuam a ser a escolha preferencial para aplicações de 1700 V.
Em resposta, a ROHM alcançou uma elevada fiabilidade em dispositivos de 1700 V, mantendo o desempenho de baixa perda dos 
seus populares produtos de 1200 V, e obteve a primeira comercialização bem-sucedida de módulos de potência de 1700 V baseados em SiC. O BSM250D17P2E004 utiliza métodos de construção e materiais de revestimento inovadores para evitar a rutura dielétrica e suprimir o aumento da corrente de fuga. Como resultado, obtém-se uma elevada fiabilidade, prevenindo a rutura dielétrica mesmo após 1000 horas de testes de polarização a alta temperatura e alta humidade (HV-H3TRB). Isto garante uma tensão de bloqueio até 1700 V, mesmo em ambientes com temperaturas e humidade extremas.
Ao incorporar os renomados MOSFETs de SiC e díodos Schottky da ROHM no mesmo módulo e otimizar a estrutura interna, a resistência de condução é reduzida em 10% em comparação com outros produtos de SiC da mesma categoria. Isto traduz-se em maior poupança de energia em qualquer aplicação.
No futuro, continuaremos a expandir a nossa gama de produtos para garantir uma utilização perfeita por parte dos clientes e trabalharemos para aumentar a procura, oferecendo placas de avaliação que permitam testar e verificar facilmente os nossos módulos de SiC.
Características Principais
1. Atinge o mais alto nível de fiabilidade em ambientes de alta temperatura e alta humidade.
Este inovador módulo de 1700 V introduz um novo método de encapsulamento e materiais de revestimento para proteger o chip, permitindo-nos alcançar a primeira comercialização bem-sucedida de um módulo SiC de 1700 V, que passou nos testes de fiabilidade HV-H3TRB.
Por exemplo, durante os testes de alta temperatura e alta humidade, o BSM250D17P2E004 demonstrou uma fiabilidade superior, sem falhas — mesmo com a aplicação de 1360V durante mais de 1000 horas a 85°C e 85% de humidade — ao contrário dos módulos IGBT convencionais, que normalmente falham em menos de 1000 horas devido à rutura dielétrica. Para garantir o mais alto nível de fiabilidade, a ROHM testou a corrente de fuga dos módulos em diferentes intervalos com o nível de tensão de bloqueio mais elevado de 1700V.
2.º Uma maior resistência de condução contribui para uma maior poupança de energia.
A combinação de díodos Schottky de SiC (da ROHM) e MOSFETs no mesmo módulo permite uma redução de 10% na resistência de condução em comparação com outros produtos da mesma classe, o que contribui para uma maior poupança de energia.
Terminologia
da Corrente de Fuga
: Refere-se à pequena quantidade de corrente que escapa do nível isolado de um dispositivo de potência. A supressão da corrente de fuga evita danos no dispositivo e um aumento do consumo de energia.
Teste de polarização inversa de alta tensão com humidade e temperatura elevadas (HV-H3TRB)
Este teste avalia a durabilidade de um dispositivo de potência quando utilizado em ambientes de alta temperatura e alta humidade. Foi concebido para detetar falhas como a rutura dielétrica causada pelo aumento da corrente de fuga do isolamento devido ao campo elétrico e à humidade.
