Graças às capacidades de toda a cadeia de fornecimento e às capacidades avançadas de encapsulamento das instalações da Rohm, o módulo SiC Half-Bridge integra MOSFETs de SiC do tipo trincheira e díodos Schottky de SiC (SBDs) produzidos em massa no mesmo espaço dos módulos anteriores.
A ROHM foi pioneira em módulos de potência comerciais equipados com MOSFETs de SiC e díodos Schottky de SiC, e produziu em massa com sucesso o primeiro MOSFET do tipo trincheira do setor, utilizando uma estrutura proprietária que garante fiabilidade a longo prazo. O novo módulo implementa MOSFETs com a sua avançada estrutura UMOS, eliminando a região JFET e maximizando as características do SiC. Oferece a menor resistência dreno-fonte, juntamente com um elevado desempenho de comutação e, graças à tensão direta extremamente baixa e ao rápido desempenho de recuperação dos díodos Schottky de SiC integrados, praticamente não apresenta perda de recuperação (Err).
Como resultado, o módulo de comutação atinge perdas 77% inferiores aos módulos IGBT convencionais e perdas de comutação 42% inferiores aos módulos SiC planares, utilizando uma estrutura DMOS-SiC de segunda geração. Isto não só possibilita o funcionamento a alta frequência, como também contribui para sistemas de refrigeração e componentes periféricos mais pequenos, o que, por sua vez, abre caminho para uma maior poupança de energia e miniaturização do produto final.
O novo módulo SiC já está disponível.
