A série de módulos multichip GaN da NXP, combinada com a primeira solução de arrefecimento superior do setor para potência de RF, ajuda a reduzir não só a espessura e o peso do rádio em mais de 20%, mas também a pegada de carbono no fabrico e implementação de estações base 5G.
“O arrefecimento pela parte superior representa uma oportunidade significativa para a indústria de infraestruturas sem fios, uma vez que combina uma elevada capacidade de potência com um desempenho térmico avançado para permitir um subsistema de RF mais pequeno”, disse Pierre Piel, vice-presidente e director geral de Energia de Rádio da NXP. “Esta inovação oferece uma solução para implementar estações base mais ecológicas, ao mesmo tempo que permite a densidade de rede necessária para tirar o máximo partido dos benefícios de desempenho do 5G.”
Os novos dispositivos com arrefecimento superior da NXP oferecem vantagens significativas de design e fabrico, como a eliminação da blindagem de RF dedicada, a utilização de placas de circuito impresso simplificadas e económicas e a separação da gestão térmica do design de RF. Estas características ajudam os fornecedores de soluções de rede a criar rádios 5G mais finos e leves para os operadores de redes móveis, reduzindo o seu ciclo de desenvolvimento global.
A primeira série de módulos de potência de RF com arrefecimento superior da NXP foi concebida para rádios 32T32R de 200 W, abrangendo a gama de 3,3 GHz a 3,8 GHz. Os dispositivos combinam as tecnologias proprietárias de semicondutores LDMOS e GaN da empresa para permitir um elevado ganho e eficiência com desempenho de banda larga, oferecendo 31 dB de ganho e 46% de eficiência a 400 MHz de largura de banda instantânea.
Os produtos A5M34TG140-TC, A5M35TG140-TC e A5M36TG140-TC já estão disponíveis. O A5M36TG140-TC será compatível com a série de placas de referência RapidRF da NXP. Para mais informações, consulte a nossa ficha técnica em NXP.com/TSCEVBFS ou contacte o departamento de vendas global da NXP.
