Construídos com a tecnologia proprietária Trench PT IGBT da Vishay, os modelos VS-GP100TS60SFPbF, VS-GP250SA60S, VS-GP300TD60S e VS-GP400TD60S oferecem tensões colector-emissor extremamente baixas, até 1,10 V, e um consumo de energia de comutação de desligamento de 11 mJ para os estágios inversores de saída.
Graças à sua construção Trench PT IGBT, estes dispositivos da Vishay Semiconductors conseguem um tamanho mais pequeno do que os IGBTs planares, proporcionando aos projetistas uma maior densidade de corrente e uma menor resistência térmica (junção-carcaça) sem comprometer o desempenho. A baixa tensão coletor-emissor permite perdas de condução extremamente baixas, enquanto o consumo de energia de comutação de desligamento é 50% inferior ao dos dispositivos da geração anterior, aumentando a eficiência e a fiabilidade a longo prazo.
Os IGBTs de meia ponte VS-GP100TS60SFPbF, VS-GP300TD60S e VS-GP400TD60S combinam IGBTs Trench PT com díodos antiparalelos HEXFRED® e díodos FRED PT® num único encapsulamento INT-A-PAK e num encapsulamento duplo INT-A-PAK com um perfil muito baixo de 17 mm. O módulo de interruptor único VS-GP250SA60S apresenta um encapsulamento SOT-227, oferecendo uma indutância parasita muito baixa de ≤ 5 nH típica, e possui aprovação UL E78996.
Os módulos, em conformidade com a RoHS, apresentam frequências de funcionamento até 1 kHz, tensões coletor-emissor de 600 V e correntes de coletor contínuas de 100 A a 400 A. Os dispositivos podem ser montados diretamente em dissipadores de calor e oferecem baixa EMI.

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