Entre as principais aplicações destes módulos de alta densidade de potência estão os acionamentos industriais e equipamentos de controlo de motores, inversores de potência para centrais de geração de energia renovável e conversores/inversores necessários para a infraestrutura de ferrovias elétricas.
Um elemento fundamental para alcançar os parâmetros de desempenho dos novos módulos MOSFET de SiC da Toshiba é a tecnologia de encapsulamento proprietária da empresa. Os encapsulamentos iXPLV (intelligent flexible package low voltage) utilizados nestes módulos baseiam-se numa tecnologia avançada de ligação interna sinterizada em prata, que permite elevados níveis de eficiência operacional. Suportam temperaturas de canal até 175 °C e garantem um isolamento até 6000 VRMS. As perdas de comutação durante a condução e o corte são mantidas em 250 mJ e 240 mJ, respectivamente, enquanto o valor típico da indutância parasita é de apenas 12 nH.
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