Isto é especialmente verdade para os dispositivos utilizados em inversores de tração, sistemas de gestão de baterias e caixas de derivação de veículos elétricos (VE) com geradores de arranque integrados (ISGs).

Os novos modelos XPQR8308QB de 80 V XPQ1R00AQB de 100 V

O chip MOSFET é ligado térmica e eletricamente aos terminais da embalagem através de clipes. Isto reduz a resistência da embalagem em aproximadamente 70% e a impedância térmica canal-carcaça (Zth(ch-c)) em 50% em comparação com a embalagem TO-220SM(W). Em conjunto, o processo e o clip reduzem as perdas e a geração de calor, criando uma solução termicamente muito eficiente

. A embalagem L-TOGL utiliza terminais tipo asa de gaivota que reduzem a tensão de montagem e melhoram a fiabilidade da soldadura. juntas. Isto ajuda a garantir a fiabilidade da ECU em aplicações automóveis com condições extremas de temperatura. Ambos os dispositivos possuem certificação AEC-Q101 para aplicações automóveis.

Os MOSFET são frequentemente ligados em paralelo para aumentar a capacidade de corrente, especialmente em aplicações automóveis. Para um funcionamento eficiente, as especificações dos MOSFET devem ser muito semelhantes, pelo que a Toshiba oferece envios de dispositivos agrupados com uma margem de 0,4 V com base na tensão de limiar da porta.

A Toshiba oferece agora quatro MOSFET encapsulados no inovador pacote L-TOGL, incluindo os dois produtos Toshiba de 40 V já existentes, XPQ1R004PB e XPQR3004PB, juntamente com os produtos anunciados hoje. A Toshiba oferece produtos adequados para aplicações automóveis que exigem cada vez mais correntes elevadas, elevada densidade de potência e excelentes níveis de desempenho e robustez.