A Renesas desenvolveu um novo processo de fabrico de wafers MOSFET (REXFET-1) que permite aos novos dispositivos reduzir drasticamente a resistência de ativação (a resistência entre o dreno e a fonte quando o MOSFET está ligado) em 30%. A menor resistência de ativação contribui para uma redução significativa da perda de potência nos projetos dos clientes.
O processo REXFET-1 permite também que os novos MOSFET ofereçam uma redução de 10% nas características Qg (a quantidade de carga necessária para aplicar tensão a um gate) e uma redução de 40% no Qgd (a quantidade de carga que deve ser injetada no gate durante a fase de plateau de Miller).
Para além das características elétricas superiores, os novos RBA300N10EANS e RBA300N10EHPF estão disponíveis em encapsulamentos TOLL e TOLG padrão da indústria, compatíveis com dispositivos de terceiros e 50% mais pequenos do que os encapsulamentos TO-263 tradicionais. O encapsulamento TOLL também oferece arestas molháveis para inspeção ótica.
