As aplicações alvo incluem EPS, conversores CC-CC e interruptores de carga.
Cada dispositivo apresenta um chip fabricado com o processo U-MOSVIII-H num encapsulamento TO-220SM(W), com a sua resistência reduzida ao limite por um novo conector interno de cobre. Isto resulta numa resistência de condução líder do setor, medida com VGS ₍ on
_{= 10V. RDS(on) = 0,78mΩ (típico) para o TK200F04N1L e RDS} ( típico) para o TK160F10N1.
) = _2,0mΩ
Ambos os dispositivos apresentam uma baixa resistência térmica de Rth ₍ ch-c) = 0,4°C/W (máx.) e uma taxa máxima de temperatura do canal de 175°C.
Estes novos MOSFET oferecem a maior eficiência e a menor geração de calor. Além disso, o U-MOSVIII-H possui capacidades melhoradas de supressão de ondulação de comutação em comparação com a geração anterior. Isto pode contribuir para a redução do ruído EMI nas aplicações.
Os modelos TK160F10N1 e TK200F04N1L cumprem os requisitos de qualificação automóvel AEC-Q101.

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