Encontrarão também aplicações em energias renováveis, como os inversores fotovoltaicos (PV) e os conversores CC-CC bidirecionais, como os utilizados para carregar veículos elétricos (VEs).

Os novos chips TW015N65C, TW027N65C, TW048N65C, TW083N65C e TW107N65C baseiam-se no processo avançado de SiC de terceira geração da Toshiba, que otimiza as
estruturas celulares utilizadas nos dispositivos de segunda geração.

Como resultado deste avanço, o FoM calculado como o produto da resistência dreno-fonte (RDS(on)) e da carga dreno-porta (Qg) para representar as perdas estáticas e dinâmicas melhorou aproximadamente 80%.

Tal como os dispositivos anteriores, os novos MOSFET de terceira geração incluem uma barreira Schottky de SiC integrada com uma baixa tensão direta (VF) de -1,35V (típica) para suprimir a instabilidade RDS(on), melhorando assim a fiabilidade.

Os novos dispositivos são capazes de lidar com correntes (ID) até 100 A e apresentam valores de RDS(on) tão baixos como 15 mΩ. Todos os dispositivos são encapsulados num pacote TO-247 padrão da indústria.