Os MOSFETs AUIRFN8459 e AUIRFN8458 são os primeiros de uma família de MOSFETs de potência PQFN duplos de 5x6mm para utilização automóvel, baseados na tecnologia de trincheira COOLiRFET™ de 40V mais avançada da IR. O AUIRFN8459 consegue uma resistência de condução (Rds(on)) ultrabaixa de 5,9mΩ por canal e a capacidade de acionar uma corrente elevada de 50A.

Estes novos dispositivos PQFN COOLiRFET™ duplos de 5x6mm também oferecem um caminho térmico reduzido para a placa de circuito impresso e um desempenho térmico significativamente melhorado em comparação com um encapsulamento SO-8, resultando numa maior eficiência, melhor densidade de potência e poupança geral nos custos do sistema.
 
Os MOSFET automóveis da IR são submetidos a testes de média de dispositivo dinâmicos e estáticos, bem como a inspeção visual automatizada de wafers em 100% dos casos, como parte da Iniciativa de Qualidade Automóvel da IR, que visa zero defeitos. A aprovação AEC-Q101 exige uma variação de Rds(on) não superior a 20% após 1.000 ciclos de teste de temperatura.
 
O novo dispositivo está aprovado segundo as normas AEC-Q101 e apresenta uma lista de materiais amigos do ambiente, isentos de chumbo e em conformidade com a diretiva RoHS.

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