O novo dispositivo é adequado para uma vasta gama de aplicações, tais como fontes de alimentação comutada em equipamentos industriais, incluindo aplicações em estações base de comunicação e centros de dados.

O novo MOSFET TPH9R00CQH apresenta uma resistência de ativação dreno-fonte (RDS(ON)) muito baixa, de apenas 9,0 mΩ (máx. @ VGS=10V). Isto representa uma redução de aproximadamente 42% em comparação com o produto de 150V existente (TPH1500CNH), que se baseia no processo U-MOSVIII-H da geração atual. Os principais parâmetros de desempenho (FoM), incluindo RDS(ON) x QSW e RDS(ON) x QOSS, foram reduzidos em aproximadamente 20% e 28%, respetivamente, melhorando assim o desempenho.

As características de carga foram melhoradas através de uma cuidadosa otimização da estrutura do dispositivo. Com uma carga total de porta (Qg) de apenas 44 nC e uma carga de comutação de porta (QSW) de 11,7 nC, o dispositivo oferece um excelente desempenho, especialmente em aplicações de alta velocidade.

O novo TPH9R00CQH oferece duas opções de encapsulamento SMD (dispositivo de montagem superficial): SOP Advance (5,0 mm x 6,0 mm) e SOP Advance(N) (4,9 mm x 6,1 mm), que podem ser selecionadas para satisfazer as necessidades de qualquer aplicação.

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