(L x C x A), ocupam menos 27% de espaço do que as embalagens D2PAK convencionais. As suas principais aplicações incluem fontes de alimentação para servidores em centros de dados, condicionadores de energia solar, sistemas de alimentação ininterrupta (UPS) e outras aplicações industriais.

A gama de produtos foi alargada com a série DTMOS VI, caracterizada pela sua baixa resistência de condução, a partir dos 65 mΩ. Além disso, a embalagem de 4 pinos oferece uma ligação Kelvin opcional. Esta ligação pode reduzir a indutância parasita na ligação da fonte dentro da embalagem e melhorar a eficiência de comutação, suprimindo a oscilação. Quando se compara o TK090N65Z com um dispositivo com valores equivalentes de resistência de condução, mas numa embalagem TO-247 sem ligação Kelvin, as perdas de comutação na fase de subida (on-go phase-up) são 68% mais baixas no TK090N65Z e aproximadamente 56% mais baixas na fase de descida (off-go phase-down phase-up).

Esta nova geração de MOSFETs de potência superjunção de 650 V da série DTMOS VI, com encapsulamento TOLL, ajudará os engenheiros a reduzir o tamanho dos seus equipamentos finais e a melhorar a eficiência. A DTMOS VI tem como objectivo alcançar a máxima eficiência de comutação com o melhor factor de mérito (FOM: Rds(on) x Qdg) da sua classe. 

Mais informações sobre os cinco produtos estão disponíveis nos seguintes links:

TK065U65Z - https://toshiba.semicon-storage.com/eu/semiconductor/product/mosfets/400v-900v-mosfets/detail.TK065U65Z.html 

TK090U65Z - https://toshiba.semicon-storage.com/eu/semiconductor/product/mosfets/400v-900v-mosfets/detail.TK090U65Z.html 

TK110U65Z - https://toshiba.semicon-storage.com/eu/semiconductor/product/mosfets/400v-900v-mosfets/detail.TK110U65Z.html 

TK155U65Z - https://toshiba.semicon-storage.com/eu/semiconductor/product/mosfets/400v-900v-mosfets/detail.TK155U65Z.html 

TK190U65Z - https://toshiba.semicon-storage.com/eu/semiconductor/product/mosfets/400v-900v-mosfets/detail.TK190U65Z.html