A ROHM está atualmente a produzir em massa os primeiros MOSFETs de SiC do tipo trincheira do mercado. A nova geração de MOSFETs de SiC da ROHM reduz a resistência de condução em 50% em toda a gama de temperaturas e a capacitância de entrada em 35% para um chip do mesmo tamanho em comparação com os MOSFETs de SiC de porta plana. O seu desempenho ideal é alcançado pela combinação de baixas perdas com comutação de alta velocidade. Isto reduz o tamanho dos componentes periféricos, como indutores e condensadores, graças à maior frequência de comutação. Como resultado, a eficiência de conversão é melhorada, o que contribui para a miniaturização, redução de peso e aumento da eficiência energética. A nova série de MOSFETs de SiC SCT3080KL de 1200V em encapsulamento TO-247 é um exemplo perfeito.
A ROHM também oferecerá MOSFETs de SiC aprovados pela AECQ, baseados na segunda geração da série planar.
Diodos Schottky de SiC de Terceira Geração:
A terceira geração de díodos Schottky de SiC atinge a tensão direta (VF) e a corrente de fuga inversa (Ir) mais baixas em toda a gama de temperaturas entre todos os díodos Schottky de SiC atualmente disponíveis. Caracterizam-se também pela capacidade de suportar elevadas sobrecorrentes, tornando-os ideais para aplicações em fontes de alimentação. Para além dos dispositivos TO220AC de 650V/6, 8 e 10A recentemente anunciados, a ROHM irá adicionar dispositivos D2PAK e TO220FM, que também oferecem opções de corrente mais baixas de 2A e 4A para esta família.
Os díodos de SiC oferecem um tempo de recuperação inversa extremamente curto em comparação com os dispositivos baseados em silício, sendo ideais para comutação de alta velocidade.
No geral, estas características contribuem para a tendência contínua de aumento da eficiência, densidade de potência e robustez nos projetos.
SiC
, incluindo módulos chopper para conversores, integram MOSFETs SiC do tipo trincheira e díodos Schottky SiC produzidos em massa. Para além dos módulos 2 em 1, estão disponíveis módulos chopper de 1200V/120A, 180A e 300A para responder às exigências do mercado. A ROHM está também a trabalhar num novo módulo de potência com menor indutância parasita.
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