O primeiro produto SFPMOS™ (Shielded Field-Plated Mesh MOSFET™), possui uma resistência nominal no estado ligado (Rds(on)) de apenas 4 mOhms com uma tensão de porta (U_GS) de 1V. A tensão de rutura (U_BR) é de 40V. Abaixo deste limite, as correntes de fuga numa ampla gama de temperatura são extremamente baixas. A uma temperatura de funcionamento de 25°C, estão bem abaixo de 1 microampère e atingem apenas 1 mA a 150°C. Por conseguinte, os SFPMOS™ são particularmente adequados para utilização em dispositivos móveis ou onde a longa duração da bateria é importante.
A série SFPMOS™ é constituída por transístores de potência com tensões de rutura de 8V a 200V. Estão disponíveis numa variedade de encapsulamentos, incluindo SC-75/SOT-416, PQFN 3x3 e PQFN 5x6.
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- Categoria: Circuitos Integrados
MOSFET para aplicações de baixa tensão
A MaxPower apresenta uma série inovadora de transístores de potência a nível sublógico. Os MOSFET capazes de lidar de forma fiável com correntes elevadas e tensões de limiar ultrabaixas são raros. A MaxPower Semiconductor Inc., fabricante de semicondutores de potência inovadores e parceiro estratégico da Finepower, desenvolveu uma nova família de transístores de potência que também comutam a nível sublógico.
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