São adequados para uma vasta gama de aplicações de elevada procura de energia, incluindo fontes de alimentação comutada (SMPS) em servidores, centros de dados e equipamentos de comunicação, sistemas de alimentação ininterrupta (UPS), estações de carregamento de veículos elétricos e condicionadores de energia para inversores fotovoltaicos (PV).

Comparativamente aos encapsulamentos com terminais de chumbo, como o TO-247 e o TO-247-4L(X), estes novos dispositivos reduzem significativamente o volume em mais de 80%. Esta significativa miniaturização contribui diretamente para a melhoria da densidade de potência nos equipamentos. Além disso, a capacidade de montagem superficial do encapsulamento TOLL permite a utilização de componentes com uma impedância parasita mais baixa, incluindo resistências e indutores, o que, por sua vez, leva à redução das perdas de comutação.

O encapsulamento TOLL é um encapsulamento de 9 pinos e 4 terminais concebido para facilitar a utilização de uma ligação Kelvin para o terminal de fonte de sinal para o acionamento do gate. Este design avançado minimiza a influência da indutância no terminal de fonte dentro do encapsulamento, conseguindo, assim, um desempenho de comutação de alta velocidade. Por exemplo, o TW048U65C apresenta uma redução notável na perda de condução (Eon) de aproximadamente 55% e na perda de desconexão (Eoff) de cerca de 25% em comparação com o produto equivalente da Toshiba que utiliza o encapsulamento TO-247 sem ligação Kelvin. Esta melhoria contribui diretamente para a redução das perdas de energia nos equipamentos.

Os MOSFET de SiC de terceira geração da Toshiba apresentam uma resistência de deriva e uma relação de resistência do canal otimizadas, resultando numa boa dependência da resistência dreno-fonte (RDS(on)) em relação à temperatura numa vasta gama de condições de funcionamento. Apresentam também uma baixa relação RDS(on) x carga porta-dreno (Qgd), um fator de mérito (FOM) crucial, melhorando ainda mais o seu desempenho. Todas as variantes apresentam uma tensão máxima absoluta dreno-fonte (VDSS) de 650 V e uma ampla gama de tensão porta-fonte (VGSS) de -10 V a 25 V, permitindo a compatibilidade com diversos circuitos de controlo de porta e simplificando o design do circuito. A tensão de limiar da porta (Vth) destes dispositivos varia normalmente entre 3,0 V e 5,0 V, simplificando ainda mais o design do circuito. Além disso, a elevada corrente de drenagem (ID) garante um funcionamento robusto em condições exigentes, aumentando a fiabilidade do sistema.