Os novos dispositivos oferecem uma baixa resistência ao acionamento (RDS(on)) para aplicações de carga pesada, incluindo direção assistida (EPS), sistemas de travagem e outras cargas elevadas em veículos equipados com motores de combustão interna (ICE) e micro-híbridos.
A família de 22 novos MOSFET de canal N de 40 V, com aprovação AEC-Q101, incorpora a tecnologia de trincheira Gen12.7, oferecendo RDS(on) ultrabaixo em encapsulamentos D2Pak-7P, D2Pak, DPak, TO-262, IPAK e TO-220. O modelo AUIRFS8409-7P, em encapsulamento D2Pak-7P, apresenta um RDS(on) máximo de apenas 0,75 mΩ a 10 Vgs, com uma corrente nominal até 240 A. Estes novos dispositivos oferecem baixas perdas de condução e um excelente desempenho em avalanche, proporcionando maior eficiência, densidade de potência e fiabilidade. Com estas características, muitas aplicações que utilizam estes novos dispositivos COOLiRFET™ operam a temperaturas mais baixas do que com MOSFETs mais avançados.
A IR procura promover a qualidade na indústria automóvel com o objetivo de alcançar zero defeitos. Isto é conseguido através de testes dinâmicos e estáticos como parte do Teste de Média de Peças, bem como de uma inspeção visual automatizada ao nível do wafer de 100% dos componentes. Os novos dispositivos são certificados pela norma AEC-Q101, que exige uma variação máxima de 20% no RDS(on) após 1.000 ciclos de temperatura em testes. Além disso, são ecológicos e possuem uma lista de materiais isenta de chumbo, em conformidade com as normas RoHS.
