Nos últimos anos, um número crescente de fabricantes de automóveis tem oferecido veículos eléctricos em resposta à crescente consciencialização ambiental e ao aumento dos custos dos combustíveis. No entanto, embora os veículos eléctricos estejam a tornar-se mais comuns, a sua autonomia relativamente curta continua a representar um desafio. Para melhorar a autonomia, as baterias estão a aumentar cada vez mais a sua capacidade, oferecendo tempos de carregamento mais curtos. Isto, por sua vez, exige uma elevada potência e eficiência dos carregadores de bordo, como os de 11 kW e 22 kW, levando à utilização cada vez mais comum de MOSFETs de SiC. Além disso, as baterias de alta tensão (800 V) requerem dispositivos de potência com baixas perdas e tensões suportáveis superiores.
Para satisfazer estas necessidades, a ROHM adicionou 10 novos modelos à sua gama de MOSFETs com classificação AEC-Q101 
, que utiliza uma estrutura Trench. O resultado é o maior portefólio do setor, disponível em variantes de 650 V e 1200 V. Olhando para o futuro, a ROHM continuará a esforçar-se para melhorar ainda mais a qualidade e reforçar a sua linha de produtos, visando aumentar o desempenho dos dispositivos, reduzir o consumo de energia e alcançar uma maior miniaturização.
Em dezembro de 2010, a ROHM tornou-se a primeira empresa do mundo a implementar com sucesso a produção em massa de MOSFETs de SiC e continua a liderar o setor no desenvolvimento e produção em massa de dispositivos de potência de SiC. Particularmente no mercado automóvel, onde a procura está em crescimento, a ROHM estabeleceu rapidamente padrões de qualidade automóvel e começou a fornecer díodos Schottky de SiC para carregadores de bordo em 2012 e MOSFETs de SiC para conversores DC/DC e carregadores de bordo a partir de 2017.
Guiada pelo objetivo corporativo de "Qualidade em Primeiro Lugar", estabelecido desde a sua fundação, a ROHM utiliza um sistema de produção verticalmente integrado dentro do grupo, que garante uma qualidade superior em todos os processos, desde o desenvolvimento até aos testes finais, proporcionando uma rastreabilidade fiável e uma cadeia de abastecimento otimizada. Para os dispositivos de potência de SiC, é também utilizado um sistema de produção integrado, que vai desde o fabrico do wafer até à embalagem, para eliminar as "caixas negras" durante o processo de fabrico, garantindo assim uma maior fiabilidade e qualidade.
Disponibilidade: imediata
* Inquérito ROHM realizado em 19 de março de 2019
