Com os FET GaNEXUS GaN da onsemi, disponíveis na Mouser, é possível alcançar frequências de funcionamento mais elevadas e uma maior densidade de potência. Além disso, a sua utilização ajuda a reduzir o número de componentes magnéticos em aplicações de conversão de energia em gamas de tensão baixa, média, alta e ultra-alta. Estes transístores de alta mobilidade de eletrões (HEMTs) GaN de modo de melhoramento oferecem uma gama de tensão de 40 a 650 V, incluindo os FETs GaNEXUS 650 V inteligentes com proteção integrada para maior fiabilidade e integração simplificada do sistema. As soluções GaNEXUS são concebidas para melhorar a conversão e a gestão de energia em sistemas de energia modernos, simplificando projetos complexos, acelerando a qualificação e o desenvolvimento, reduzindo os requisitos térmicos e de refrigeração e otimizando o desempenho em toda a cadeia de fornecimento de energia.
Em sistemas de baixa e média tensão — como servidores de IA, conversores de barramento intermédio (IBCs) de 48 V, unidades de reserva de bateria (BBUs) e controladores de motores — a utilização do GaNEXUS ajuda a reduzir o tamanho dos componentes magnéticos, oferece uma maior densidade de potência, melhora a eficiência, o desempenho térmico e a estabilidade de controlo, além de reduzir as perdas de comutação. Em aplicações de alta tensão — como módulos de potência de IA, conversores CC-CC de alta tensão, correção do fator de potência (PFC) e estágios de potência LLC — a utilização do GaNEXUS permite uma redução de até 60% no tamanho dos componentes magnéticos em estágios CA-CC ressonantes e de alta frequência, aumenta a densidade de potência nas arquiteturas PFC, LLC e CC-CC de alta tensão e reduz os custos térmicos e operacionais.
